實驗室介紹

磁性半導體實驗室成立於2009年8月，主要的研究方向在於磁性物理、光電半導體物理與薄膜技術。
目標在於透過在沒有磁性的半導體材料中添加磁性元素的方式，使得半導體材料成為兼具磁性與半導體特性的磁性半導體。

我們選用添加稀土族元素的ZnO薄膜作為研究的主要材料系統。添加不同比例稀土元素的薄膜樣品由實驗室的脈衝雷射磊晶系統製備。
研究課題在探討磁性半導體的結構特性、磁性、光學特性與半導體電性，以了解磁性半導體磁性強弱與磁性元素濃度的關係、磁性形成的機制、磁性與
半導體光電特性之間的關聯，尋求製備室溫或高溫磁性半導體的限制，磁性與電性相互調制的可能性，作為發展新興自旋電子元件的基礎。

實驗室成員可以學習真空技術、磊晶鍍膜、X光繞射分析、拉曼光譜技術、半導體光譜分析、半導體基礎電性檢測等產業與學術研究的實用技術。

實驗室的工作包含樣品製備，以及後續的各項檢測，因此必須仰賴各項工具。 以下是本實驗室現有和架設中的儀器設備：